（来源：半导体前线）
近日，美国功率组件业者安森美宣布与中国英诺赛科合作，加速全球氮化镓(GaN)产品的布局，预计此次将运用英诺赛科在GaN晶圆的大规模制造优势，以及安森美自家的封装技术，加速推广GaN应用，双方合作产品预计2026年上半年开始送样给客户。
安森美指出，此次合作主要包括晶圆采购和更广泛的合作，双方将探索利用英诺赛科成熟的8吋GaN-on-silicon制程，扩大生产氮化镓(GaN)功率组件，一方面结合安森美在系统整合、驱动器和封装方面的技术，以及英诺赛科在GaN晶圆和大规模制造方面的优势，更快地将经济高效、节能的解决方案推向市场，并加速GaN的应用。
安森美看好，此次合作将扩展公司的低压和中压(40V至200V)GaN功率组件产品组合，并扩大GaN的全球生产规模，从而加快产品上市速度，并促进更广泛的应用，以瞄准预计到2030年规模达29亿美元的市场，包括工业、汽车、电信基础建设、消费性电子和AI数据中心。
GaN具有更高的开关速度、更小的尺寸和更低的能量损耗，能够在更小的空间内提供更大的功率。安森美坦言，先前由于产品种类有限且产能不足，GaN在低压和中压领域的应用受到限制，透过此次合作，将致力于克服这些障碍，以快速在全球大规模部署主流应用的氮化镓(GaN)解决方案。
相关领域包括工业的机器人马达驱动器、太阳能微型逆变器和优化器；汽车领域的直流直流转换器、同步整流器；电信基础建设的直流直流转换器和负载点转换器；消费及大众市场领域的电源、转接器、直流直流转换器、马达驱动器、音频设备、轻型电动车、电动工具、机器人等；AI数据中心领域的中间总线转换器、直流直流转换器、备用电池。
安森美企业策略副总裁AntoineJalabert，随着各行各业电力需求的成长，与其他材料相比，氮化镓具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能量损耗。此前，在低压和中压领域，成本和供应限制了其广泛应用，透过与英诺赛科合作，有望利用业界最大的氮化镓生产基地，并迅速扩大我们面向全球客户的氮化镓产品。
氮化镓技术对于改进电子产品、打造更小巧、更有效率的电源系统、节省电力以及减少二氧化碳排放至关重要。英诺赛科非常高兴能与安森美半导体探索策略合作机会，以扩大和加速氮化镓电源技术在全球范围内的应用，并利用安森美半导体丰富的产品组合打造平台。
英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。
氮化镓作为第三代半导体材料，已经成为功率半导体行业传统硅材料的替代和升级材料，解决了硅材料在频率、功率、功耗、热管理和器件尺寸方面的限制，在功率电子领域具有巨大的应用潜力，被视为未来电子产业的重要发展方向。英诺赛科作为全球氮化镓领域的领军者，拥有过硬的技术实力。
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